C32 IGBT缓冲吸收电容器
| 型号 | 规格 | 价格(元) | 尺寸（mm) | 引出 |
| C32 | 1.0vF/1200V | 9 | Φ27.5*L44 | d=1.2 |
价格仅供参考，以报价单为准。 主要应用/Application广泛应用于UPS、逆变器、感应加热、电焊机等设备的IGBT模块吸收保护。Widely used in UPS，inverter，induction heaters，welding machine for IGBT snubber protection. 产品特点/Characteristics 电介质：聚丙烯薄膜结构：双面金属化与金属化膜内串结构封装：阻燃迈拉胶带，阻燃（94V-0级）环氧封装引出：镀锡铜线能承受高脉冲电流，高dv/dt，ESL,ESR小，具有自愈性 Dielectric：Polypropylene filmConstruction：Extended double side me
talized carrier film with internal series co
nnection and me
talized filmCoating：Polyester tape wrapping with resin sealing.Flame retardant execution（UL94V-0）Terminals：Tinned copper lugsHigh pulse current，high dv/dt, Low ESL and ESR, Self healing 技术性能/Specifications
| 引用标准/Reference standards | GB/T 17702 IEC 61071 |
| 工作温度范围/Operating temperature range | -40℃～85℃ |
| 容量范围/Capacitance | 0.022μF～5.6μF |
| 额定电压/Rated Voltage | 700Vdc～3000Vdc |
| 容量偏差/Tolerance | ±5% ±10% |
| 极间耐电压/Test voltage between terminals | 1.5Ur（Vdc）10s 25℃±5℃ |
| 极壳耐电压/Test voltage between terminals and case | 3000V 50Hz 60s，25℃±5℃ |
| 损耗角正切/Dissipation factor | tgδ≤6×10-4 at 25℃±5℃，1kHz |
| 绝缘电阻/Insulation resistance | C×R≥30000s，at 100Vdc，25℃±5℃，60s |
| 预期寿命/Life expectancy | 200000h at Ur and 70℃ |
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